Разработанная технология позволяет формировать полнофункциональные микросхемы энергонезависимой памяти, обладающие способностью к деформации. Данные могут быть считаны и записаны в произвольном порядке с приемлемой скоростью.
Отмечается, что специалистам KAIST удалось решить проблему интерференции между соседними ячейками памяти. Для этого на гибкой пластиковой подложке были интегрированы высокопроизводительный однокристальный кремниевый транзистор и мемристор. Напомним, что мемристоры считаются четвёртым пассивным элементом микросхем после резистора, конденсатора и катушки индуктивности. Ключевая особенность элемента данного типа — гистерезис: реакция на воздействие зависит от сил, действовавших ранее, то есть состояние системы определяется её собственной историей. Ток, проходящий через мемристор, приводит к изменению его атомной структуры, в результате чего сопротивление элемента меняется в тысячу и более раз. Это позволяет использовать элемент в качестве ячейки памяти.
